CVD
chemical vapor deposition
ウェハ上に薄膜を形成する方法の一つで、化学的気相成長法を指します。気体の成分を変えるだけで違った薄膜を容易に成長させることができる利点があり、現在のIC製造プロセスにおける主流となっています。配線として用いる多結晶シリコン、表面保護膜や絶縁膜として用いる酸化シリコン、窒化シリコン、PSG（Phospho-Silicate Glass：リン化酸化膜ガラス）など、形成したい薄膜の構成元素をもった気体をウェハ上に流して、その表面で化学反応を起こさせて薄膜を形成します。エネルギー源（熱CVD法、光CVD法、プラズマCVD法）、成膜圧力（常圧CVD：AP-CVD、減圧CVD：LP-CVD）、反応方式（有機金属化学気相成長法：MO-CVD）などに分類できます。
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