ダマシン法
damascene
LSI の金属配線形成法の一つで、メッキ技術とリフトオフ法を併用した薄膜形成技術です。絶縁層に微細な金属配線層を埋め込む象嵌（damascene）的手法からこの名前がつきました。銅（Cu）配線に注目した方法で、層間絶縁膜中に配線形状の溝を形成し、銅などの金属を埋め込みます。配線法には二つあり、一つは「シングルダマシン配線法」といって接続孔に金属のコンタクトプラグを形成した後に配線溝を形成する方法。もう一つは「デュアルダマシン配線法」といって接続孔および配線溝を形成した後、金属を一度に埋め込む方法です。多層配線層を平坦にするC M P（Chemical Mechanical Polishing）技術と組み合わせて用いられます。
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