MOS metal-oxide-semiconductor

MOS（モス）

metal-oxide-semiconductor

シリコン基板などの半導体表面に酸化膜を介して金属を付けた構造をもつデバイスで金属酸化膜半導体のことを指します。金属—酸化膜—半導体の三層構造をとっています。絶縁体を介してソースからドレインに移動するキャリアの量（ソースとドレイン間のチャネル電流）をゲート電圧で制御します。MOS構造はそのまま容量（キャパシタ）として使用することもありますが、MOS ICの基本トランジスタとして重要です。

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