MRAM（エムラム）
magnetic random access memory
磁気抵抗効果をもつGMR（Giant Magnetoresistive：巨大磁気抵抗効果）膜やTMR（Tunneling Magnetoresistive：トンネル型磁気抵抗効果）膜を記憶素子に用いた不揮発性メモリを指します。スイッチング磁界によって電気抵抗値が大きく変化するGMRやTMR膜は、この現象を利用して、電流の切り替えによって発生する磁界をスイッチすることで“0”“1”の状態を実現します。また、MRAMは、SRAM並みの高速な読み書きができるうえ、フラッシュメモリの10分の1程度の低消費電力、高集積性が可能などの特徴があります。
