イオン注入
ion implantation
物体の性質を変える方法の一つで、不純物原子をイオン化して加速し、固体中に注入することを指します。イオン打ち込みとも呼ばれます。半導体では、MOSトランジスタのソースやドレイン領域をp 型またはn 型にするために用いられます。また不純物注入することで、一部を低抵抗にするためにも利用されます。熱拡散で不純物を導入する方法に比べて、濃度や分布を制御しやすい特徴があります。
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物体の性質を変える方法の一つで、不純物原子をイオン化して加速し、固体中に注入することを指します。イオン打ち込みとも呼ばれます。半導体では、MOSトランジスタのソースやドレイン領域をp 型またはn 型にするために用いられます。また不純物注入することで、一部を低抵抗にするためにも利用されます。熱拡散で不純物を導入する方法に比べて、濃度や分布を制御しやすい特徴があります。
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